Protótipo de UltraRAM é mostrado pela primeira vez

O Departamento de Física da Universidade de Lancaster estava trabalhando na tecnologia UltraRAM há algum tempo, mas agora finalmente trouxe resultados promissores ao mercado. Com sua equipe formando a QuInAs Technology, eles convidaram a equipe da Tom’s Hardware para verem os chips em primeira mão e testarem o seu potencial.

A intenção é acabar com o armazenamento flash, trazendo velocidades muito superiores ao que vemos da atual DRAM. O hardware retém a memória mesmo depois de ser desligado, com a empresa revelando que ele tem 4.000x mais durabilidade do que a NAND e pode guardar seus dados para além de 1.000 anos.

Em termos técnicos, a UltraRAM está sendo produzida para ter 1/10 da latência e eficiência 100x superior à DRAM – um detalhe é que a fabricação está sendo realizada com os mesmos nós, o que chama bastante a atenção da indústria neste cenário. Esta é a primeira demonstração dela desde o seu anúncio, em janeiro de 2022.

De acordo com a QuInAs Technology, eles usarão seus laboratórios para a criação de dispositivos que usem esta memória com recursos em 20 nm. Eles informam que isso tomará os próximos meses de trabalho, com novas máquinas chegando para auxiliar na testagem e verificação – objetivando os esforços de produzí-las em grande escala.

A tecnologia por trás da UltraRAM

As informações divulgadas pela QuInAs Techonolgy revelam que a UltraRAM é baseada em cargas de memória que usam a saída flutuante – como a NAND. Porém, diferente da forma como flash executa sua performance, na nova modalidade a estação de carga da saída flutuante é de leitura não-destrutível – medindo a condutividade de canais subsequentes. A sua durabilidade é de 10 milhões de ciclos de escrita/deletar. Em termos comparativos, a 3D NAND vê degradação após algumas centenas de escritas.

Para atingir este formato, a universidade inglesa e a nova startup trabalham com a estrutura “triple-barrier resonant tunneling” (TBRT), que trabalha da mesma forma que a camada de óxido da NAND, mas pode facilitar o armazenamento de informações por mais de 1.000 anos. Além disso, há a possibilidade de tornar a experiência dele para agir velozmente e consumindo pouca energia, graças ao sistema de túneis quânticos que formam a sua arquitetura.

Fonte: Tom’s Hardware